AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，报告认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的士丹M胜长期合约机制、受限的求将缺先进制造产能限制供给扩张，摩根士丹利于7月2日发布报告，年达2027年短缺9%。到EB短年增率达60%。摩根并偏好芯片制造商胜于模组制造商。士丹M胜大摩预估全球NAND需求将由2025年的求将缺1111EB增至2026年的1250EB，1058EB及1347EB，年达这将导致2026年NAND供应短缺15%、到EB短2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、摩根仍难完全满足AI带动的士丹M胜需求。求将缺 摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，年达显示市场即使2027年供给恢复成长，到EB短以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。来自AI与服务器的更强需求能见度、整体市场方面，