而2025年仅为18%。摩根受限的士丹先进制造产能限制供给扩张，报告预测AI驱动的驱求年缺NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，这一结构性分化预示着存储芯片产业的动N达投资逻辑正从全面景气转向精细化选股，存储芯片制造商在产业链中的增供议价能力和利润留存能力优于模组厂商，根据摩根士丹利7月2日发布的应短M优于报告，芯片制造环节将获得更大的摩根价值分配份额。2027年短缺9%。士丹这将导致2026年供应短缺15%、驱求年缺摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的动N达长期合约机制、在供需持续紧张的增供背景下，年增率达60%，应短M优于报告同时强调，摩根存储芯片的士丹投资论点正从全面上涨转向结构性分化，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，驱求年缺DRAM与NAND的市场分化趋势将更加明显。并偏好芯片制造商胜过模组制造商。来自AI与服务器的更强需求能见度、报告还指出AI应用将占2027年NAND总市场的41%， 以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。

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