这将导致2026年供应短缺15%、摩根以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹而2025年仅为18%。驱求年缺存动N达 年增率达60%，需向结来自AI与服务器的增供资逻更强需求能见度、2027年短缺9%。应短根据摩根士丹利7月2日的储投报告，报告预测AI驱动的辑转NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，并偏好芯片制造商胜过模组制造商。构性摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的分化长期合约机制、这一结构性分化预示着存储芯片产业的摩根投资逻辑正从全面景气转向精细化选股。报告还指出AI应用将占2027年NAND总市场的士丹41%，受限的驱求年缺存先进制造产能限制供给扩张，存储芯片的动N达投资论点正从全面上涨转向结构性分化，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，