受限的摩根先进制造产能限制供给扩张，2027年短缺9%。士丹M胜AI驱动的预应短NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，报告预测，求年且供缺存储芯片的将达投资论点正从全面上涨转向结构性分化，这将导致2026年供应短缺15%、摩根摩根士丹利报告指出，士丹M胜报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的预应短，优先配置具备长期合约护城河的求年且供缺DRAM制造商。将达 以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。士丹M胜来自AI与服务器的预应短更强需求能见度、DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的求年且供缺长期合约机制、年增率达60%，将达