摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB且供应短缺9%，建议优先配置DRAM 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

优先配置具备长期合约护城河的摩根DRAM制造商。以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹并偏好芯片制造商胜过模组制造商。利预摩根士丹利7月2日发布报告指出，求年受限的达E短缺先进制造产能限制供给扩张，这将导致2026年供应短缺15%、建议存储芯片的优先投资论点正从全面上涨转向结构性分化，整体来看本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年，配置届时AI应用将占NAND总市场的摩根41%，报告预测AI驱动的士丹NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，利预年增率达60%，求年高于2025年的达E短缺18%。报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的建议，但主要风险在于下游客户承受能力，优先DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、尤其是大型云厂商可能需要持续通过资本市场融资以支撑相关投资支出。2027年短缺9%。来自AI与服务器的更强需求能见度、