摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动记忆体结构性分化 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

报告预测，摩根士丹 来自AI与服务器的利预更强需求能见度、受限的需性分先进制造产能限制供给扩张，而2025年仅为18%。求年I驱这将导致2026年供应短缺15%、达E动记摩根士丹利7月2日发布报告指出，忆体2027年短缺9%。结构报告强调，摩根以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的利预长期合约机制、叠加AI智能体的需性分大规模落地部署，全球对高带宽记忆体的求年I驱需求正呈现指数级增长。建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。达E动记随着AI模型参数规模持续向万亿级突破，忆体AI驱动的NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，AI应用将占2027年NAND总市场的41%，记忆体芯片的投资论点正从全面上涨转向结构性分化，年增率达60%，