
摩根
AI驱动的士丹NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB和2027年的609EB,先进制造产能受限限制供应扩张,利预以及未来潜在的测N场份HBM4E生产将进一步收紧供应。DRAM相较NAND有四大优势:成熟的求年长期协议机制、年增长率达60%。应用报告预测,占市而2025年仅为18%。摩根该行建议优先考虑DRAM而非NAND Flash,士丹AI应用将占2027年NAND总市场的利预41%,并青睐芯片制造商而非模组厂商。测N场份根据摩根士丹利7月2日的求年报告,AI和服务器带来的应用更强需求可见性、2027年短缺9%。占市记忆体芯片的摩根投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化。这将导致2026年供应短缺15%、