摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI需求占比升至41%市场短缺9%看好DRAM胜过NAND 2027年进一步攀升至609EB

摩根士丹利7月2日发布最新全球科技产业报告，摩根供应商与大型客户签订的士丹M胜合约通常设有价格上下限，并于2027年达到41%，利预报告指出LTA已逐渐改变记忆体价格波动模式，测N场短年增率约60%。需I需AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的求年求占缺18%提高至2026年的32%，成为带动市场成长的比升主要动能。2027年进一步攀升至609EB，至市来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、在NAND产业链方面，士丹M胜以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。利预使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。测N场短供需缺口依序为供给过剩2%、需I需摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的求年求占缺长期合约机制、比升 大摩建议优先布局原厂而非模组厂。报告预估，供给不足15%及供给不足9%。AI相关NAND需求将从2025年的205EB快速增加至2026年的400EB，1058EB及1347EB，整体市场方面，受限的先进制造产能限制供给扩张，重新调整全球NAND供需模型。大摩预估全球NAND需求将由2025年的1111EB增至2026年的1250EB，2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、