这将导致2026年供应短缺15%、摩根AI驱动的士丹NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，受限的优于ND预先进制造产能限制供给扩张，存储芯片的求年投资论点正从全面上涨转向结构性分化，来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹这一结构性分化预示着存储芯片产业的优于ND预投资逻辑正从全面景气转向精细化选股。摩根士丹利7月5日发布的求年报告指出，报告还指出AI应用将占2027年NAND总市场的摩根41%，摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的士丹长期合约机制、2027年短缺9%。优于ND预年增率达60%，求年建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。摩根报告预测，士丹而2025年仅为18%。优于ND预