摩根士丹利看好DRAM优于NAND，预测NAND需求2027年达609EB年增60% 优于ND预而2025年仅为18%

来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、报告预测，士丹记忆体晶片的优于ND预投资论点正从全面上涨转向结构性分化，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。求年2027年短缺9%。摩根建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，士丹并偏好晶片制造商胜过模组制造商。优于ND预这将导致2026年供应短缺15%、求年AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，士丹 年增率达60%。优于ND预而2025年仅为18%。求年这一结构性分化预示着存储芯片产业的摩根投资逻辑正从全面景气转向精细化选股。受限的士丹先进制造产能限制供给扩张，报告还指出AI应用将占2027年NAND总市场的优于ND预41%，根据摩根士丹利7月2日的报告，摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、