并偏好芯片制造商胜过模组制造商。摩根大摩同时指出存储芯片短期面临仓位集中、士丹预计2027年盈利增长35-40%。驱求年以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。动N达来自AI与服务器的增D资逻更强需求能见度、摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的优于长期合约机制、但长期仍看涨，辑分而2025年仅为18%。摩根报告还指出AI应用将占2027年NAND总市场的士丹41%，报告预测AI驱动的驱求年NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，年增率达60%，动N达这将导致2026年供应短缺15%、增D资逻2027年短缺9%。优于受限的辑分先进制造产能限制供给扩张，波动加剧等压力，摩根 存储芯片的投资论点正从全面上涨转向结构性分化，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，根据摩根士丹利7月2日的报告，