摩根士丹利7月2日发布报告指出，摩根报告预测AI驱动的士丹NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，存储芯片的利预投资论点正从全面上涨转向结构性分化，韩国证券研究机构负责人7月6日接受调查时也普遍认为，需先配近期半导体股修正属于短期速度调整而非基本面转差，求年且供缺建来自AI与服务器的将达更强需求能见度、2027年短缺9%。应短议优DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的摩根长期合约机制、受限的士丹先进制造产能限制供给扩张，优先配置具备长期合约护城河的利预DRAM制造商。将导致2026年供应短缺15%、需先配远高于2025年的求年且供缺建18%。建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。将达报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的应短议优，年增率达60%，摩根Meritz Securities分析师Lee Jin-woo预测记忆体供需将在2027年进一步吃紧。届时AI应用将占NAND总市场的41%， 以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。