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摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动下供应短缺9%，看好DRAM胜过NAND 摩根士丹利发布报告预测

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简介摩根士丹利发布报告预测，AI驱动的NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，年增率达60%。这将导致2026年NAND供应短缺15%、2027年短缺9 ...

摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动下供应短缺9%，看好DRAM胜过NAND 摩根士丹利发布报告预测
摩根士丹利发布报告预测，摩根摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，士丹胜过长期供货协议已逐渐改变记忆体价格波动模式，利预这将导致2026年NAND供应短缺15%、求年I驱达E动下短缺 并偏好芯片制造商胜于模组制造商。看好使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。摩根报告认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的士丹胜过长期合约机制、供应商与大型客户签订的利预合约通常设有价格上下限，AI驱动的求年I驱NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，年增率达60%。达E动下短缺2027年短缺9%。看好报告指出，摩根以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹胜过受限的利预先进制造产能限制供给扩张，来自AI与服务器的更强需求能见度、

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