摩根士丹利于7月2日发布报告，摩根以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹M胜年增率约60%。需下供求年驱动缺 2027年进一步攀升至609EB，将达并偏好芯片制造商胜于模组制造商。应短需求为1484EB，摩根并于2027年达到41%，士丹M胜摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND，需下供整体市场方面，求年驱动缺来自AI与服务器的将达更强需求能见度、大摩预估2027年全球NAND供给为1347EB、应短预估AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB快速增加至2026年的400EB，供需缺口为短缺9%。士丹M胜报告认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的需下供长期合约机制、受限的先进制造产能限制供给扩张，AI需求占整体NAND市场比重将由2025年的18%提高至2026年的32%，成为带动市场成长的主要动能。

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