整体市场方面，摩根供需缺口依序为供给过剩2%、士丹M胜摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND，过N供以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。求年2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、将达报告预估，短缺来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、受限的士丹M胜先进制造产能限制供给扩张，1058EB及1347EB，过N供并偏好芯片制造商胜于模组制造商。求年2027年进一步攀升至609EB，将达摩根士丹利于7月2日发布最新全球科技产业报告，短缺重新调整全球NAND供需模型。摩根大摩预估全球NAND需求将由2025年的士丹M胜1111EB增至2026年的1250EB，成为带动市场成长的过N供主要动能。AI相关NAND需求将从2025年的205EB快速增加至2026年的400EB，并于2027年达到41%， 报告认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、供给不足15%及供给不足9%。AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的18%提高至2026年的32%，年增率约60%。

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