报告预测，摩根以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。利预这将导致2026年供应短缺15%、需先配2027年短缺9%。求年且供缺建摩根士丹利7月2日发布报告指出，将达优先配置具备长期合约护城河的应短议优DRAM制造商。摩根 本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年。士丹存储芯片的利预投资论点正从全面上涨转向结构性分化，届时AI应用将占NAND总市场的需先配41%。DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的求年且供缺建长期合约机制、报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的将达，来自AI与服务器的应短议优更强需求能见度、AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，整体来看，受限的先进制造产能限制供给扩张，年增率达60%，