2027年短缺9%。摩根AI应用将占2027年NAND总市场的士丹41%，而2025年仅为18%。利预测N场份 报告预测，求年记忆体芯片的应用投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。占市DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的摩根长期合约机制、来自AI与服务器的士丹更强需求能见度、这将导致2026年供应短缺15%、利预年增长率达60%。测N场份建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。求年根据摩根士丹利7月2日的应用报告，AI驱动的占市NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，受限的摩根先进制造产能限制供给扩张，