AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB和2027年的609EB，报告指出，士丹摩根士丹利7月2日发布报告预测，利预这将导致2026年供应短缺15%、求年I驱AI和服务器带来的达E动下短缺更强需求可见性、年增长率达60%。摩根士丹 DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的利预长期协议机制、2027年短缺9%。求年I驱先进制造产能受限限制供应扩张，达E动下短缺摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，摩根并青睐芯片制造商而非模组厂商。士丹以及未来潜在的利预HBM4E生产将进一步收紧供应。