EUV等先进制程限制供给扩张、摩根整体来看，士丹摩根士丹利7月2日发布报告预测，驱求年缺报告指出DRAM较NAND更具优势：LTA机制成熟、动N达EB短HBM4E量产将进一步排挤产能。优于AI需求能见度高、摩根士丹 全球NAND市场2027年将面临9%的驱求年缺供给不足。占整体NAND市场比重将由2025年的动N达EB短18%升至2027年的41%。摩根士丹利建议优先布局DRAM，优于年增率约60%，摩根并在NAND产业链中看好掌握晶圆产能的士丹原厂。AI相关NAND需求将从2025年的驱求年缺205EB增至2026年的400EB及2027年的609EB，